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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108 Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei) 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  GE   Band structure parameters of zinc-blende GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文 solid state communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 5, 页码: 381-384 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/17 semiconductors  electronic band structure  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ELECTRONIC-STRUCTURE  GALLIUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  DIAMOND   Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN 期刊论文 journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194 Fan WJ; Li MF; Chong TC; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/17 GALLIUM NITRIDE  BAND-GAPS  PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS  ALUMINUM NITRIDE  SEMICONDUCTORS  GROWTH  INSULATORS  CRYSTALS  SILICON  DIAMOND   ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 1995, 卷号: 189, 期号: 2, 页码: 473-477 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/17 STACKING-FAULTS  BEHAVIOR  DEFECTS