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半导体研究所 [50]
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2008 [2]
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2006 [5]
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学科主题
半导体物理 [50]
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学科主题:半导体物理
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The effect of an electric field on the nonlinear response of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: art. no. 055203
Huang X (Huang X.)
;
Zhang XH (Zhang X. H.)
;
Zhu YG (Zhu Y. G.)
;
Li T (Li T.)
;
Han LF (Han L. F.)
;
Shang XJ (Shang X. J.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
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浏览/下载:81/6
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提交时间:2010/08/17
InAs quantum dots
nonlinear refraction
reflection Z-scan
dc electric field effect
ELECTROOPTIC PROPERTIES
SATURABLE ABSORBER
OPTICAL-PROPERTIES
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
BAND-GAP
ELECTROABSORPTION
ABSORPTION
REFLECTION
DEPENDENCE
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513
作者:
Zhang XH
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浏览/下载:145/2
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提交时间:2010/04/22
InAs quantum dots
Nonlinear refraction
Reflection Z-scan
REFLECTION Z-SCAN
OPTICAL NONLINEARITIES
2-PHOTON ABSORPTION
SATURABLE ABSORBER
WELL STRUCTURES
SINGLE-BEAM
ELECTROABSORPTION
DISPERSION
SOLIDS
GAAS
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23, 页码: art.no.235104
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
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浏览/下载:143/26
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提交时间:2010/03/08
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Transmission properties of electron in quantum rings
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723
Li, CL
;
Yang, FH
;
Feng, SL
;
Wang, XM
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浏览/下载:110/1
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提交时间:2010/03/08
PERSISTENT CURRENTS
ENERGY
STATES
WELL
FLUX
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.073718
Gong J
;
Liang XX
;
Ban SL
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/29
TIME
Spin-polarized transport through an Aharonov-Bohm interferometer with Rashba spin-orbit interaction
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: art.no.113703
Chi, F (Chi, Feng)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
DOUBLE-DOT
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
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