×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2011 [2]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [2]
1996 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Detection of large in-plane spin-dephasing anisotropy in [100]-grown GaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 5, 页码: 1127-1130
作者:
Zhang XH
收藏
  |  
浏览/下载:47/3
  |  
提交时间:2011/07/05
ZINCBLENDE HETEROSTRUCTURES
RELAXATION ANISOTROPY
SYSTEMS
SPINTRONICS
DYNAMICS
Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495
Zhang GQ
;
Sun P
;
Zou Q
;
Mei X
;
Ruda HE
;
Gu Q
;
Yu XF
;
Ren DY
;
Yan RL
收藏
  |  
浏览/下载:1272/12
  |  
提交时间:2010/08/12
ionizing radiation
dose rate
PZT
dielectric constant
coercive field
C-V curves
remanent polarization
FERROELECTRIC PZT CAPACITORS
IONIZING-RADIATION
BORDER TRAPS
TRANSISTORS
DEGRADATION
MECHANISMS
MEMORIES
VOLTAGE
DEVICES
RAY
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/08/12
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:103/13
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GROWTH
WAVELENGTH
GAAS
Si1-xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 mu m
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 157-159
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu J
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li YK
;
Zhou JM
;
Lin CL
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2010/08/12
HIGH-SPEED
PHOTODIODE
Carrier transport properties of the (n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
期刊论文
acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 2466-2471
Peng YC
;
Xu GY
;
He YL
;
Liu M
;
Li YX
收藏
  |  
浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2010/08/12
(n)nc-Si : H/(p)c-Si heterojunction
band model
carrier transport mechanisms
temperature properties
CRYSTALLINE
Pressure dependence of the electronic subband structure of strained In0.2Ga0.8As/GaAs MQWs
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1996, 卷号: 198, 期号: 1, 页码: 329-335
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MULTIPLE QUANTUM-WELLS
HYDROSTATIC-PRESSURE
DEFORMATION POTENTIALS
EXCITON ABSORPTION
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
GAAS
High-pressure study of optical transitions in strained In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells
期刊论文
physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 19, 页码: 13820-13826
Li GH
;
Goni AR
;
Syassen K
;
Hou HQ
;
Feng W
;
Zhou JM
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/11/17
HYDROSTATIC-PRESSURE
EXCITON ABSORPTION
DEFORMATION POTENTIALS
LAYER SUPERLATTICES
BAND OFFSET
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
SPECTROSCOPY
DEPENDENCE
TEMPERATURE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace