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科研机构
半导体研究所 [9]
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会议论文 [1]
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2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [2]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305
Wang ZG (Wang Zhiguo)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Gao F (Gao Fei)
;
Weber WJ (Weber William J.)
收藏
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浏览/下载:105/1
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提交时间:2010/10/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GAN NANOWIRES
NATIVE DEFECTS
COMPLEXES
EPITAXY
GROWTH
ARRAYS
Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250
Wu, YL
;
Zhang, LW
;
Xie, GL
;
Ni, J
;
Chen, YH
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/03/08
ZnO thin films
Pulsed laser deposition
Electrical resistance
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
Growth and characterization of InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1831-1835
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:88/11
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提交时间:2010/08/12
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MU-M
The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film
期刊论文
acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422
Wang YQ
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Yang FH
;
Diao HW
收藏
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浏览/下载:82/6
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提交时间:2010/08/12
a-Si : O : H
nc-Si
microstructure
annealing
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS SIO2
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
2nd international conference on radiation effects on semiconductor materials, detectors and devices, florence, italy, mar 04-06, 1998
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
N-EFF
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
期刊论文
nuclear instruments & methods in physics research section a-accelerators spectrometers detectors and associated equipment, 1999, 卷号: 426, 期号: 1, 页码: 38-46
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/08/12
strip detectors
silicon detectors
annealing
simulation
irradiation
JUNCTION DETECTORS
RADIATION-DAMAGE
MODELS
N-EFF
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