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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2003 [1]
1999 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Optical properties of GaN wurtzite quantum wires
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3107-3115
Zhang XW
;
Xia JB
收藏
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浏览/下载:86/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
POLARIZATION ANISOTROPY
ELECTRONIC-STRUCTURE
ZNO NANOWIRES
PHOTOLUMINESCENCE
NANORODS
SPHERES
GROWTH
Atomic hydrogen induced step bunching and fabrication of quantum wire arrays on GaAs (311)A substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 218-221
Zhou DY
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy (MBE) step bunching
InGaAs
quantum wire
SURFACE-DIFFUSION
GROWTH
DOTS
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
Photoluminescence studies of GaAs/AlGaAs single quantum well intermixed by Ga+ ion implantation
期刊论文
solid state communications, 1996, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 1039-1042
Sai N
;
Zheng BZ
;
Xu JZ
;
Zhang PH
;
Yang XP
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/17
quantum wells
intermixing
photoluminescence
INTERDIFFUSION
WIRES
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