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科研机构
半导体研究所 [8]
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会议论文 [1]
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2009 [1]
2008 [1]
2003 [1]
2002 [1]
1999 [1]
1998 [3]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Magnetic coupling properties of rare-earth metals (Gd, Nd) doped ZnO: First-principles calculations
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 023910
Shi HL
;
Zhang P
;
Li SS
;
Xia JB
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浏览/下载:107/25
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提交时间:2010/03/08
FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR
BAND-STRUCTURE
STABILIZATION
INJECTION
Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107
Wang, BR
;
Sun, BQ
;
Ji, Y
;
Dou, XM
;
Xu, ZY
;
Wang, ZM
;
Salamo, GJ
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浏览/下载:104/2
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZED STATES
ISLANDS
WIRES
SUPERLATTICES
ORGANIZATION
GAAS(100)
EXCITONS
GROWTH
DECAY
GAAS
Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
magnetic semiconductor
magnetic p-n junction
ion beam epitaxy
gadolinium silicides
METAL-INSULATOR-TRANSITION
P-N-JUNCTION
INDUCED FERROMAGNETISM
SI/SIER INTERFACE
BEAM EPITAXY
SEMICONDUCTORS
EXCITATION
MAGNETORESISTANCE
ALLOYS
Numerical analysis of LEC growth of GaAs with an axial magnetic field
期刊论文
international journal of heat and mass transfer, 2002, 卷号: 45, 期号: 13, 页码: 2843-2851
Li MW
;
Hu WR
;
Chen NH
;
Zeng DL
;
Tang ZM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
liquid encapsulant Czochralski (LEC)
growth of GaAs
magnetic field finite-element method
boron oxide
CRYSTAL-GROWTH
HEAT-TRANSFER
CONVECTION
FLOW
SIMULATION
MODEL
A comparison of photoluminescence properties of InGaAs GaAs quantum dots with a single quantum well
期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 1456-1459
Kong MY
;
Wang XL
;
Pan D
;
Zeng YP
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
CARRIER RELAXATION
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
SUPERLATTICES
MULTILAYERS
STABILITY
ISLANDS
GROWTH
Stability improvement of selective oxidation during the fabrication of InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1998, 卷号: 37, 期号: 6b, 页码: 3673-3675
Pan Z
;
Zhang Y
;
Du Y
;
Wu RH
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
VCSEL
selective oxidation
stability
MICROSTRUCTURE
WET OXIDATION
Modification of InAs quantum dot structure by the growth of the capping layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 1, 页码: 49-51
Lian GD
;
Yuan J
;
Brown LM
;
Kim GH
;
Ritchie DA
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
SEMICONDUCTOR
Stability improvement of selective oxidation during the fabrication of InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser
会议论文
6th microoptics conference / 14th topical meeting on gradient-index optical systems (moc/grin 97), tokyo, japan, oct 07-09, 1997
Pan Z
;
Zhang Y
;
Du Y
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
VCSEL
selective oxidation
stability
WET OXIDATION
MICROSTRUCTURE
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