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Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H
收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08
Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112
Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08
First-principles study of transition metal impurities in Si 期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: art. no. 155201
Zhang ZZ; Partoens B; Chang K; Peeters FM
收藏  |  浏览/下载：61/7  |  提交时间：2010/03/08
Deep centers investigations of P-HEMT functional materials of ultra-high-speed microstructures grown by MBE 期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 372-376
Lu LW; Zhang YH; Wang J; Ge W
收藏  |  浏览/下载：136/11  |  提交时间：2010/08/12
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates 期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Zhang M; Wang YS; Bai XW; Zhao J
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12
IDENTIFICATION OF THE ENERGY-LEVELS OF SI-RH 期刊论文
journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 4, 页码: 2251-2255
ZHOU J; WU JA; LU LW; HAN ZY
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DEEP IMPURITY LEVELS IN SILICON UNDER HYDROSTATIC-PRESSURE 期刊论文
chinese physics, 1985, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 471-477
XIA JB
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2010/11/15
DEEP IMPURITY LEVELS IN SILICON 期刊论文
chinese physics, 1984, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 966-975
XIA JB
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