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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2002 [2]
2001 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn1-xCoxAs films epitaxied on GaAs (001)
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 042502
Xu PF (Xu P. F.)
;
Nie SH (Nie S. H.)
;
Meng KK (Meng K. K.)
;
Wang SL (Wang S. L.)
;
Chen L (Chen L.)
;
Zhao JH (Zhao J. H.)
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浏览/下载:93/4
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提交时间:2010/09/07
cobalt compounds
doping
entropy
gallium arsenide
magnetic epitaxial layers
magnetocaloric effects
manganese compounds
molecular beam epitaxial growth
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
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浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
Microstructure of a-SiOx : H
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1320-1328
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
a-SiOx : H
microstructure
bonding configuration
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
ELECTRONIC-PROPERTIES
SIO2/SI INTERFACE
OXYGEN
FILMS
VIBRATIONS
ALLOYS
SYSTEM
Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:95/12
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
microtwins
X-ray four-circle diffractometer
APCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE
PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GAN
SI
SUBSTRATE
DEFECTS
NITRIDE
MBE
Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Han JY
;
Liu S
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:106/6
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提交时间:2010/08/12
four-circle diffraction
GaN
phase content
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
GROWTH
STABILITY
RATIO
Investigation on quality of cubic GaN/GaAs(100) by double-crystal X-ray diffraction
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 517-522
Xu DP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Li JB
;
Duan LH
;
Wu RH
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal
X-ray diffraction
MOCVD
SUBSTRATE NITRIDATION
OPTICAL-PROPERTIES
GAN
GAAS
GROWTH
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Double crystal X-ray diffraction study of MBE self-organized InAs quantum dots
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 172-176
作者:
Ma WQ
;
Wang YT
;
Wang W
;
Wang W
;
Jiang DS
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
X-ray diffraction
dynamic theory
GROWTH
PHOTOLUMINESCENCE
RESOLUTION
GAAS(100)
GAAS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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