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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [9]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2003 [2]
2002 [2]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [9]
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学科主题:半导体物理
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Correlation measurement of quantum cascade photons in single InAs quantum dot
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.17804
作者:
Chang XY
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浏览/下载:42/2
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提交时间:2011/07/05
single quantum dot
exciton and biexciton
photoluminescence spectrum
cascade emission
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Uniaxial Strain Effects on Optical Properties of c-plane Wurtzite GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4139-4142
Hao, GD
;
Chen, YH
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
DIODES
SAPPHIRE
Realization of low threshold of InGaAs/InAlAs quantum cascade laser
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 9, 页码: 1478-1481
作者:
Li CM
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/08/12
Magnetic-field-induced nonthermal occupation of higher subbands in a three-barrier tunneling structure
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2003, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 470-473
作者:
Tan PH
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
resonance tunneling
nonthermal occupation
intersubband relaxation
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
ELECTRON
EMISSION
LASER
Occupation modulation of higher subbands in a three-barrier tunnelling structure with a magnetic field
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1509-1512
作者:
Tan PH
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
TUNNELING STRUCTURE
ELECTRON
EMISSION
LASER
Polarization insensitive gain medium with hybrid strained quantum well
期刊论文
optics and laser technology, 2002, 卷号: 34, 期号: 8, 页码: 595-597
Yin JZ
;
Du GT
;
Liu SP
;
Liu ZS
;
Wang XQ
;
Li ZT
;
Yin ZY
;
Yang SR
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
tensile well
compressive well
polarization insensitivity
gain medium
SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIERS
DESIGN
Growth and characterization of InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 10, 页码: 1831-1835
作者:
Xu B
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浏览/下载:88/11
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提交时间:2010/08/12
quantum cascade laser
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MU-M
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
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