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半导体研究所 [13]

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半导体物理 [13]

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限定条件	学科主题：半导体物理

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	Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703 作者: Yang XH; He JF 收藏 \| 浏览/下载：57/7 \| 提交时间：2011/07/05 V-groove substrate quantum wires GaAs EPITAXIAL-GROWTH TRANSISTOR
	Defects in gallium nitride nanowires: First principles calculations 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044305 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏 \| 浏览/下载：105/1 \| 提交时间：2010/10/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION GAN NANOWIRES NATIVE DEFECTS COMPLEXES EPITAXY GROWTH ARRAYS
	EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏 \| 浏览/下载：72/0 \| 提交时间：2010/03/08 GaN epitaxial lateral overgrowth
	Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102 Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Dou, XM; Niu, ZC 收藏 \| 浏览/下载：84/1 \| 提交时间：2010/03/08 ELECTRON-SPIN EMISSION ISLANDS GROWTH STATES
	Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107 Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏 \| 浏览/下载：104/2 \| 提交时间：2010/03/08 LOCALIZED STATES ISLANDS WIRES SUPERLATTICES ORGANIZATION GAAS(100) EXCITONS GROWTH DECAY GAAS
	Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY DEPOSITION LAYERS FILMS
	Thermodynamic model of hydrogen-induced silicon surface layer cleavage 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 11 part.1., 页码: 6551-6553 作者: Han WH 收藏 \| 浏览/下载：108/16 \| 提交时间：2010/08/12 INDUCED EXFOLIATION
	Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2001, 卷号: 223, 期号: 1, 页码: 157-162 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：94/0 \| 提交时间：2010/08/12 HYDROSTATIC-PRESSURE PHOTOLUMINESCENCE GAAS LUMINESCENCE GROWTH INSB GASB
	Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文 9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2010/11/15 HYDROSTATIC-PRESSURE PHOTOLUMINESCENCE GAAS LUMINESCENCE GROWTH INSB GASB
	Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文 chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/08/12 PHOTOLUMINESCENCE GE TEMPERATURE ENSEMBLES SI(100) GROWTH SHAPE

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