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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of the morphology of ZnO/Ag interface on the surface-plasmon-enhanced emission of ZnO films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 20, 页码: art. no. 205101 作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：284/63  |  提交时间：2010/03/09 molecular beam epitaxy   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION   Structural and optical properties of strain-compensated GaAsSb/GaAs quantum wells with high Sb composition 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 83, 期号: 20, 页码: 4149-4151 作者:  Jiang DS;  Zhang YH 收藏  |  浏览/下载：183/0  |  提交时间：2010/08/12 1.3-MU-M VCSELS  GAAS  SUPERLATTICES   Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 作者:  Jiang DS;  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASERS  GAIN  GAAS   In-plane optical anisotropy of symmetric and asymmetric (001) GaAs/Al(Ga)As superlattices and quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: 1266-1270 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：87/9  |  提交时间：2010/08/12 ZINCBLENDE SEMICONDUCTORS  DIFFERENCE SPECTROSCOPY  INVERSION ASYMMETRY  COMMON-ATOM  LIGHT-HOLE  HETEROSTRUCTURES  INTERFACE