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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 MISFIT DISLOCATIONS  DEFECTS  INGAN  GAN  REDUCTION  INDIUM  LAYERS  FILMS   Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 VAPOR-PHASE EPITAXY  DEPOSITION  LAYERS  FILMS   Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 期刊论文 physical review letters, 2000, 卷号: 85, 期号: 11, 页码: 2352-2355 Zheng LX; Xie MH; Seutter SM; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 GAN(0001)  FILMS   Photoluminescence study of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文 chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: 384-388 Guo ZS; Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRONIC-STRUCTURE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  GROWTH