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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
发表日期
2008 [1]
2002 [2]
2000 [3]
1999 [3]
1998 [3]
1994 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Origin of the vertical-anticorrelation arrays of InAs/InAlAs nanowires with a fixed layer-ordering orientation
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 9, 页码: 6021-6026
Sun ZZ
;
Yoon SF
;
Wu J
;
Wang ZG
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浏览/下载:81/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MORPHOLOGY
MODULATIONS
SURFACES
INP(001)
GROWTH
ALLOY
INP
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/08/12
INP(001)
EPITAXY
GAAS
Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS ISLANDS
INP(001)
GROWTH
GAAS
SEMICONDUCTORS
THICKNESS
LASERS
INGAAS
SIZE
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
InP substrate
high index
In(Ga
MBE
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAAS
ISLANDS
PHOTOLUMINESCENCE
INP(001)
GROWTH
LASERS
Al)As/InAlAs/InP
InAs self-assembled nanostructures grown on InP(001)
期刊论文
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224
作者:
Xu B
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM DOTS
ISLANDS
GAAS
THRESHOLD
GAAS(100)
SIZE
INP
Structure and photoluminescence of InGaAs self-assembled quantum dots grown on InP(001)
期刊论文
journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 619-621
作者:
Xu B
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
INJECTION
PATTERNS
ISLANDS
Growth mode and strain relaxation of InAs on InP (111)A grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 74, 期号: 10, 页码: 1388-1390
Li HX
;
Daniels-Race T
;
Wang ZG
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
MICROSTRUCTURAL EVOLUTION
ISLAND FORMATION
INXGA1-XAS
SI(100)
GAAS
GE
High-density InAs nanowires realized in situ on (100) InP
期刊论文
applied physics letters, 1999, 卷号: 75, 期号: 8, 页码: 1173-1175
Li HX
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Daniels-Race T
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
QUANTUM WIRES
ISLANDS
GAAS
INP(001)
MORPHOLOGY
ARRAYS
Ordered InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001) InP substrates grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 17, 页码: 2123-2125
作者:
Xu B
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
RECOMBINATION
GAAS(100)
SURFACE
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