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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108 Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei) 收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  GE   Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS   Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：85/7  |  提交时间：2010/08/12 STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  II BAND ALIGNMENT  PHOTOLUMINESCENCE  GE  EXCITONS  GAP  SI