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半导体研究所 [26]
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学科主题
半导体物理 [26]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Silicon nanostructure solar cells with excellent photon harvesting
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21014
Chen C
;
Jia R
;
Yue HH
;
Li HF
;
Liu XY
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Tamotsu H
;
Wu NJ
;
Wang SL
;
Chu JH
;
Xu BS
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浏览/下载:64/6
  |  
提交时间:2011/07/05
PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
ANTIREFLECTION COATINGS
NANOWIRE ARRAYS
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
收藏
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浏览/下载:112/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Characteristic analysis of the optical delay in frequency response of resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2223-2228
Guo JC
;
Zuo YH
;
Zhang Y
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/08
electrical bandwidth
frequency response
optical delay
photodetectors
High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature
期刊论文
electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330
作者:
Zhu H
;
Liu J
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浏览/下载:252/78
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提交时间:2010/03/08
PHOTODIODE
High efficiency operation of butt joint line-defect-waveguide microlaser in two-dimensional photonic crystal slab
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 8, 页码: art. no. 081109
Zheng WH
;
Ren G
;
Xing MX
;
Chen W
;
Liu AJ
;
Zhou WJ
;
Baba T
;
Nozaki K
;
Chen LH
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浏览/下载:129/0
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提交时间:2010/03/08
MODE
Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m GaInNAs(Sb) lasers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 979-983
Zhao, H (Zhao, H.)
;
Xu, YQ (Xu, Y. Q.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Du, Y (Du, Y.)
;
Yang, XH (Yang, X. H.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/29
photoluminescence
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Enhancement of photoluminescence intensity of GaInNAs/GaAs quantum wells by two-step rapid thermal annealing
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2579-2582
Zhao H (Zhao Huan)
;
Xu YQ (Xu Ying-Qiang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Han Q (Han Qin)
;
Wu RH (Wu Rong-Han)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/04/11
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
ORIGIN
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
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