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Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:  He JF;  Li MF
收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L; Ma, XY
收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/03/08
Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08
PECVD  
Low-energy exciton states in a ZnO cylindrical nanodisk 期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 9, 页码: art. no. 094310
Xiong, W; Li, SS
收藏  |  浏览/下载：110/3  |  提交时间：2010/03/08
Correlation between Er3+ emission and Si clusters in Erbium-doped a-SiOx : H films 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 27, 期号: 1-2, 页码: 21-25
Chen CY; Chen WD; Song SF; Xu ZJ; Liao XB; Li GH; Bian LF; Ding K
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/03/17
Suppression of exciton recombination in symmetric GaAs0.7Sb0.3/GaAs/GaAs0.7P0.3 coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field 期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 752-754
作者:  Jiang DS
收藏  |  浏览/下载：153/39  |  提交时间：2010/03/09
Luminescence emission originating from nitrogen doping of beta-Ga2O3 nanowires 期刊论文
physical review b, 2004, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: art.no.075304
Song, YP; Zhang, HZ; Lin, C; Zhu, YW; Li, GH; Yang, FH; Yu, DP
收藏  |  浏览/下载：85/25  |  提交时间：2010/03/09
Study on Er3+ emission from the erbium-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 9, 页码: 5599-5604
Chen CY; Chen WD; Song SF; Xu ZJ; Liao XB; Li GH; Ding K
收藏  |  浏览/下载：319/6  |  提交时间：2010/08/12
Photoluminescence study of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs one-side-modulation-doped asymmetric step quantum wells 期刊论文
solid state communications, 1998, 卷号: 106, 期号: 12, 页码: 811-814
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12
The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures 期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109
作者:  Xu B
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12

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