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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2001 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324
Zhang MH
;
Guo LW
;
Li HW
;
Li W
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
;
Liu BL
;
Xu ZY
;
Zhang YH
;
Lu LW
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提交时间:2010/08/12
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
Annealing behaviors of photoluminescence from SiOx : H
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: 7934-7939
Ma ZX
;
Liao XB
;
He J
;
Cheng WC
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
收藏
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  |  
提交时间:2010/08/12
POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE
VISIBLE-LIGHT EMISSION
RAMAN-SCATTERING
GLOW-DISCHARGE
LUMINESCENCE
CONFINEMENT
SPECTRA
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