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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Er  Pr-implautation  deep level transient spectroscopy  N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970 Dong HW; Zhao YW; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：64/15  |  提交时间：2010/08/12 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  UNDOPED INP  SPECTROSCOPY  WAFER  UNIFORMITY  PRESSURE  TRAPS