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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  LASER  ISLANDS   Metamorphic InGaAs Quantum Well Laser Diodes at 1.5 mu on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 014214 Wang HL; Wu DH; Wu BP; Ni HQ; Huang SS; Xiong YH; Wang PF; Han Q; Niu ZC; Tangring I; Wang SM 收藏  |  浏览/下载：176/53  |  提交时间：2010/03/08 THRESHOLD CURRENT-DENSITY   Microstructure and Optical Properties of Nonpolar m-Plane GaN Films Grown on m-Plane Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 3346-3349 part 1 Wei, TB; Duan, RF; Wang, JX; Li, JM; Huo, ZQ; Yang, JK; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 HVPE  GaN  sapphire  nonpolar  semipolar   Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496 作者:  Zheng YH 收藏  |  浏览/下载：204/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MULTILAYER  CRAS