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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497 Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  nitrides  semiconducting III-V materials  IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY  LASER-DIODES  TEMPERATURE  SURFACTANT  EMISSION  NITROGEN  ORIGIN   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM   Improvement of Ge self-organized quantum dots by use of Sb surfactant 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 20, 页码: 2541-2543 Peng CS; Huang Q; Cheng WQ; Zhou JM; Zhang YH; Sheng TT; Tung CH 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  CONFINEMENT  TEMPERATURE  ISLANDS  SI(001)