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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interference in transport through double barriers in interacting quantum wires 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 5, 页码: art. no. 155438 Wang SQ (Wang Shaoqin); Zhou LL (Zhou Liling); Zeng ZY (Zeng Zhao Yang) 收藏  |  浏览/下载：34/1  |  提交时间：2010/05/24 CONDUCTANCE  MODEL  BEHAVIOR  FLUIDS  GAS   Interlayer segregation in magnetic multilayers and its influence on exchange coupling 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 1, 页码: 94-96 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Jiang HW; Lai WY; Chai CL 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 SPIN VALVES  GIANT MAGNETORESISTANCE  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  FILMS  BILAYERS  LAYERS  BIAS  INTERFACES  BEHAVIOR  MODEL   Electronic structure of diluted magnetic semiconductor superlattices: In-plane magnetic field effect 期刊论文 physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 19, 页码: art.no.195204 Wu HB; Chang K; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  BAND OFFSETS  TRANSITION  EXCITONS  BEHAVIOR  CD1-XMNXTE  EXCHANGE  SYSTEM   Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  EMISSION  BEHAVIOR  SHIFT  INGAN   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS   Influence of lateral propagating modes on laser output characteristics in selectively oxidized vertical cavity surface-emitting lasers with double oxide layers 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 7, 页码: 3519-3524 Huang YZ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 SPONTANEOUS-EMISSION FACTOR  FABRY-PEROT MICROCAVITY  SEMICONDUCTOR-LASERS  CONFINEMENT  APERTURES  BEHAVIOR