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半导体研究所 [65]
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期刊论文 [63]
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2011 [9]
2010 [10]
2009 [27]
2008 [9]
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学科主题
半导体物理 [65]
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学科主题:半导体物理
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Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Magnetic quantum oscillations in a monolayer graphene under a perpendicular magnetic field
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: article no.58103
作者:
Fu ZG
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浏览/下载:51/7
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提交时间:2011/07/05
graphene
spin-orbit interaction
magnetic quantum oscillations
SYSTEM
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
收藏
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
Hole mediated magnetism in Mn-doped GaN nanowires
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74313
作者:
Li JB
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浏览/下载:63/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
QUANTUM WIRES
SEMICONDUCTORS
FERROMAGNETISM
FIELD
GAMNN
GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
Interface effect on the electronic structure and optical properties of InAs/GaSb superlattices
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 42, 页码: 425103
Lang, XL
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2012/01/06
GASB SUPER-LATTICE
SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
DEFORMATION POTENTIALS
II SUPERLATTICES
BAND PARAMETERS
DETECTORS
APPROXIMATION
TRANSITIONS
Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 520
Ye, HQ
;
Hu, CC
;
Wang, G
;
Zhao, HM
;
Tian, HT
;
Zhang, XW
;
Wang, WX
;
Liu, BL
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
quantum beats
spin-orbit coupling
magnetic properties of nanostructures
optical creation of spin polarized
ELECTRON G-FACTOR
LANDE G-FACTOR
SUPERLATTICES
SPINTRONICS
BEATS
GAAS
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:
Wang LG
;
Chen L
;
Zhu H
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浏览/下载:43/5
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提交时间:2011/07/05
GALLIUM-ARSENIDE
SEMICONDUCTORS
FIELD
Direct detection of the relative strength of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction: Utilizing the SU(2) symmetry
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 033304
Li J (Li Jun)
;
Chang K (Chang Kai)
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浏览/下载:61/1
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提交时间:2010/08/17
RELAXATION ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTORS
SYSTEMS
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