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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
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2014 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2007 [1]
学科主题
半导体物理 [6]
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学科主题:半导体物理
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An efficient atomistic quantum mechanical simulation on InAs band-to-band tunneling field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 12, 页码: 123504
Wang, Z
;
Jiang, XW
;
Li, SS
;
Wang, LW
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/04/02
Quantum Mechanical Study on Tunnelling and Ballistic Transport of Nanometer Si MOSFETs
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057101
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Tang LM (Tang Li-Ming)
收藏
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浏览/下载:101/3
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提交时间:2010/05/24
SIMULATION
TRANSISTORS
LIMIT
NM
Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 8, 页码: art.no.084510
Jiang XW (Jiang Xiang-Wei)
;
Deng HX (Deng Hui-Xiong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Luo JW (Luo Jun-Wei)
;
Wang LW (Wang Lin-Wang)
收藏
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浏览/下载:159/62
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提交时间:2010/03/08
ELECTRONIC-STRUCTURE
A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726
Jiang, XW
;
Deng, HX
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Wang, LW
收藏
  |  
浏览/下载:153/1
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提交时间:2010/03/08
dopant fluctuation
linear combination of bulk band (LCBB)
MOSFET
quantum mechanical
threshold
3-D
Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507
Deng, HX
;
Jiang, XW
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wang, LW
收藏
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浏览/下载:65/5
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提交时间:2010/03/08
SIMULATION
MOSFETS
SUPERLATTICES
REGIME
LIMIT
Quantum mechanical effects in nanometer field effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 14, 页码: art.no.143108
Luo, JW (Luo, Jun-Wei)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
;
Wang, LW (Wang, Lin-Wang)
收藏
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浏览/下载:138/0
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提交时间:2010/03/29
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