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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron irradiation induced defects in high temperature annealed InP single crystal 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 Wang B (Wang Bo); Zhao YW (Zhao You-Wen); Dong ZY (Dong Zhi-Yuan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Miao SS (Miao Shan-Shan); Yang J (Yang Jun) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/03/29 InP   The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 期刊论文 advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22 Zhang S; Hu Z; Raniero L; Liao X; Ferreira I; Fortunato E; Vilarinho P; Perreira L; Martins R 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon carbide  high temperature annealing  thin film  SILICON  PECVD   Luminescence emission originating from nitrogen doping of beta-Ga2O3 nanowires 期刊论文 physical review b, 2004, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: art.no.075304 Song, YP; Zhang, HZ; Lin, C; Zhu, YW; Li, GH; Yang, FH; Yu, DP 收藏  |  浏览/下载：85/25  |  提交时间：2010/03/09 SINGLE-CRYSTALS   Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4302-4305 Tan LW; Wang J; Wang QY; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 EPITAXIAL-GROWTH  AL2O3  SI   Microstructure and photoluminescence of a-SiOx : H 期刊论文 science in china series a-mathematics, 1998, 卷号: 41, 期号: 9, 页码: 1002-1008 Ma ZX; Liao XB; Cheng WC; He J; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum confinement effects  photoluminescence  infrared and Raman spectra  SILICON  MATRIX  SYSTEM  FILMS  OXIDE  VISIBLE-LIGHT EMISSION