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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001 Zhang, Renping; Yan, Wei; Wang, Xiaoliang; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aspect ratio  Current density  Drain current  Electric network analysis  Electric network analyzers  Electron mobility  Fabrication  Gallium nitride  Ohmic contacts  Passivation  Silicon nitride  Silicon wafers   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者:  Wei HY;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：237/41  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  conduction bands  energy gap  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  magnesium compounds  passivation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Neutron irradiation effect in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1045-1048 Zhang, ML; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：53/3  |  提交时间：2010/03/08 TRANSPORT  PROTON  HEMTS   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN