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半导体研究所 [18]
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会议论文 [1]
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2009 [1]
2008 [3]
2006 [2]
2002 [2]
2001 [2]
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学科主题
半导体物理 [18]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors
期刊论文
physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:393/60
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提交时间:2010/03/08
COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM
ENERGY
MODEL
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ
;
Zeng, YP
;
Wang, XL
;
Liu, HX
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/08
RHEED
INTERLAYER
PRESSURE
NITRIDES
LAYERS
MBE
Mg acceptor energy levels in AlxInyGa1-x-yN quaternary alloys: An approach to overcome the p-type doping bottleneck in nitrides
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113202
Wang, F
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Wei, SH
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
AUGMENTED-WAVE METHOD
BASIS-SET
SEMICONDUCTORS
LATTICE
Elasticity, band-gap bowing, and polarization of AlxGa1-xN alloys
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: art. no. 023705
Duan, YF
;
Li, JB
;
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
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浏览/下载:98/17
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提交时间:2010/03/08
STRAINED WURTZITE SEMICONDUCTORS
FUNCTIONAL PERTURBATION-THEORY
QUANTUM-WELLS
1ST-PRINCIPLES CALCULATIONS
OPTICAL BOWINGS
NITRIDE
CONSTANTS
OFFSETS
FIELDS
DIODES
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
InN nanoflowers grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: art.no.071113
Kang TT (Kang Ting-Ting)
;
Liu X (Liu Xianglin)
;
Zhang RQ (Zhang Ri Q.)
;
Hu WG (Hu Wei G.)
;
Cong G (Cong Guangwei)
;
Zhao FA (Zhao Feng-Ai)
;
Zhu Q (Zhu Qinsheng)
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
CRYSTAL-GROWTH
NITRIDE
NANOWIRES
Nitrogen vacancy scattering in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
solid-state electronics, 2002, 卷号: 46, 期号: 12, 页码: 2069-2074
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
nitrogen vacancy scattering
GaN
mobility
MOCVD
N-TYPE GAN
NITRIDE
FILMS
Exciton Localization and Delocalization in GaNAs/GaAs Quantum Wells
期刊论文
发光学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 109-113
Luo X D
;
Xu Z Y
;
Ge W K
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Microtwins and twin inclusions in the 3C-SiC epilayers grown on Si(001) by APCVD
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 777-782
Zheng XH
;
Qu B
;
Wang YT
;
Dai ZZ
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:95/12
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提交时间:2010/08/12
3C-SiC
microtwins
X-ray four-circle diffractometer
APCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE
PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GAN
SI
SUBSTRATE
DEFECTS
NITRIDE
MBE
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