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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2009 [2]
2008 [1]
2003 [1]
2001 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体物理 [7]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Effect of counterpart on the tribological behavior and tribo-induced phase transformation of Si
期刊论文
tribology international, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 628-633
Li XC
;
Lu JJ
;
Yang SR
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浏览/下载:59/24
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提交时间:2010/03/08
Single crystal silicon
Phase transformation
Friction coefficient
Wear
Tribological counterpart
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:164/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
A ministop band in a single-defect photonic crystal waveguide based on silicon on insulator
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 228-231
Tang, HX
;
Zuo, YH
;
Yu, JZ
;
Wang, QM
收藏
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浏览/下载:52/6
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提交时间:2010/03/08
photonic bandgap
photonic crystal waveguide
silicon-on-insulator
ministop band
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
FLOATING-ZONE GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
SILICON
GE
Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang J
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/08/12
SINGLE CRYSTALLINE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
THIN-FILMS
GALLIUM NITRIDE
001 SILICON
SAPPHIRE
SI
DEPOSITION
ALN
Kinetics of dissociative water adsorption on stepped Si(001), on Si(115), Si(113), Si(5,5,12) and Si(112)
期刊论文
surface science, 1997, 卷号: 381, 期号: 1, 页码: 1-11
Ranke W
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
adsorption kinetics
low energy electron diffraction
low index single crystal surfaces
silicon
surface structure
morphology
roughness
and topography
vicinal single crystal surfaces
visible and ultraviolet photoelectron spectroscopy
water
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
CYLINDRICAL SILICON CRYSTAL
MILLER INDEX SURFACES
ROOM-TEMPERATURE
VICINAL SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
H2O
SI(100)
CHEMISORPTION
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