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半导体研究所 [43]

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半导体物理 [43]

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限定条件	学科主题：半导体物理内容类型：期刊论文

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	Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 12, 页码: 122409 H. Peng, J. Li, S. H. Wei 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2014/03/26
	Chemical trends of magnetic interaction in Mn-doped III-V semiconductors 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 12, 页码: 122409 Peng, Haowei; Li, Jingbo; Wei, Su-Huai 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2013/09/17
	Strain-induced high ferromagnetic transition temperature of MnAs epilayer grown on GaAs (110) 期刊论文 nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.125 作者: Chen L 收藏 \| 浏览/下载：36/1 \| 提交时间：2011/07/05 MAGNETIC-PROPERTIES GAAS(001) FILMS ORDER NANOCLUSTERS EPITAXY
	Au@Si-n: Growth behavior, stability and electronic structure 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 27, 页码: 2736-2742 Wang J (Wang Jing); Liu Y (Liu Ying); Li YC (Li You-Cheng) 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2010/07/18 Density functional theory Gold-doped silicon cluster Electronic structure SUPERSONIC MOLECULAR-BEAM SILICON CLUSTERS MAGNETIC-PROPERTIES N=1-13 CLUSTERS NICKEL CLUSTERS GOLD EXCHANGE TI
	Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏 \| 浏览/下载：93/14 \| 提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition elemental semiconductors energy gap germanium Ge-Si alloys photoluminescence semiconductor epitaxial layers semiconductor quantum wells silicon tensile strength
	Anisotropy of magnetic properties in ferrimagnetic ytterbium iron garnet under high magnetic fields 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083909 Wang W; Yue Y; Li DY 收藏 \| 浏览/下载：75/1 \| 提交时间：2010/03/08 crystal field interactions garnets magnetic anisotropy spontaneous magnetisation superexchange interactions ytterbium compounds
	Room Temperature Ferromagnetism of Mn Implanted AlInN 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 040202 Majid A; Sharif R; Ali A; Zhu JJ 收藏 \| 浏览/下载：249/25 \| 提交时间：2010/03/08 MAGNETIC-PROPERTIES SEMICONDUCTORS GAN CR ALLOYS GROWTH FILMS
	Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN MOLECULAR-BEAM EPITAXY AUGMENTED-WAVE METHOD VAPOR-PHASE EPITAXY ELECTRICAL-PROPERTIES OXYGEN ACTIVATION SILICON
	Interface as the origin of ferromagnetism in cobalt doped ZnO film grown on silicon substrate 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 14, 页码: art. no. 142109 作者: Yin ZG; Zhang XW 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2010/03/08 MAGNETIC-PROPERTIES
	Excitonic bright-to-dark transition induced by spin-orbit coupling 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 012106 Wang, JW; Li, SS 收藏 \| 浏览/下载：45/1 \| 提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELLS EXCHANGE INTERACTION GATE CONTROL RELAXATION ELECTRON DYNAMICS HETEROSTRUCTURES FIELD 2D

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