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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2001 [1]
1998 [2]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy
会议论文
10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Lan Q
;
Kong YC
;
Zhou DY
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/10/29
molecular beam epitaxy
InGaAs islands
photolumineseence
line-width
1.3 MU-M
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
LUMINESCENCE
STRAIN
1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Chen B
;
Wang W
;
Wang XJ
;
Zhang JY
;
Zhu HL
;
Zhou F
收藏
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/10/29
1.3 mu m
complex-coupled grating
DFB laser
New method for the growth of highly uniform quantum dots
会议论文
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN
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