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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe  UHV/CVD  RHEED  Raman scattering  SILICON  RELAXATION   Effect of buffer layer growth conditions on the secondary hexagonal phase content in cubic GaN films on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 3-4, 页码: 397-401 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 III-V semiconductor MOCVD RHEED  XRDCD  SAPPHIRE   Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates 期刊论文 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 Niu ZC; Notzel R; Jahn U; Schonherr HP; Fricke J; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index substrates  molecular beam epitaxy (MBE)  patterned growth  three-dimensionally confined nanostructures  SIDEWALL QUANTUM WIRES  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Hydrogen adsorption induced surface reconstructions on Si(113) studied by LEED 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: 101-105 Hu XM; Feng K; Lin ZD; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 SI   A surface structure model for Si(337) 期刊论文 applied surface science, 1996, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 217-219 Hu XM; Wang EG; Xing YR 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 low energy electron diffraction (LEED)  surface structure  stepped single crystal surfaces  SI(113) SURFACE  GROWTH  SI