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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Laterally Electrostatically Driven Poly 3C-SiC Folded-Beam Resonant Microstructures 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1453-1456 作者:  Wang Liang;  Ning Jin;  Zhao Yongmei;  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 959-962 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER   Resonant Raman scattering of a-SiNx : H 期刊论文 materials letters, 2001, 卷号: 47, 期号: 1-2, 页码: 50-54 Wang Y; Yue RF; Han HX; Liao XB; Wang YQ; Diao HW; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 a-Sin(x): H films  resonant Raman scattering  quantum confinement model  POLYCRYSTALLINE DIAMOND FILMS  AMORPHOUS-SILICON  HYDROGENATED MICROCRYSTALLINE  SPECTROSCOPY  ALLOYS   Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：70/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2010/08/12 GSMBE  SiGe alloy  doping  SIMS  HBT  current gain  SI   Resonant magnetopolaron effects due to interface phonons in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures 期刊论文 physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 17, 页码: 3226-3229 Wang YJ; Nickel HA; McCombe BD; Peeters FM; Shi JM; Hai GQ; Wu XG; Eustis TJ; Schaff W 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 POLARON-CYCLOTRON-RESONANCE  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MODES  HETEROJUNCTIONS  SUPERLATTICES  ELECTRONS  MASS