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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 272-274 Luo WJ (Luo Weijun); Wei K (Wei Ke); Chen XJ (Chen Xiaojuan); Li CZ (Li Chengzhan); Liu XY (Liu Xinyu); Wang XL (Wang Xiaoliang) 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2010/03/29 GaN   A Radial Stub Test Circuit for Microwave Power Devices 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1557-1561 Luo Weijun; Chen Xiaojuan; Liang Xiaoxin; Ma Xiaolin; Liu Xinyu; Wang Xiaoliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：70/14  |  提交时间：2010/08/12 n-type doping  p-type doping  Si/SiGe  HBT  GSMBE  SI   The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Ou HY; Yang QQ; Lei HB; Wang QM; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/15 thick SiO2 layer  porous silicon  SiO2/Si waveguide device  WAVE-GUIDES  SILICON   The fabrication of thick SiO2 layer by anodization 期刊论文 optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 271-275 Ou HY; Yang QQ; Lei HB; Wang QM; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 thick SiO2 layer  porous silicon  SiO2/Si waveguide device  WAVE-GUIDES  SILICON