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半导体研究所 [13]

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半导体材料 [13]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者: Yang H; Zhao DG; Zhu JJ; Yang H; Zhang SM 收藏 \| 浏览/下载：182/43 \| 提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence MOCVD AlGaN
	Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏 \| 浏览/下载：70/3 \| 提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION TEMPERATURE ALN INTERLAYERS PHASE EPITAXY OPTICAL-PROPERTIES SURFACTANT SUBSTRATE STRESS SI REDUCTION SAPPHIRE
	Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者: Jin P; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：58/0 \| 提交时间：2010/04/11 defects lateral composition modulation photoluminescence molecular beam epitaxy quantum wires semiconductor III-V material DOTS HETEROSTRUCTURES INALAS/INP(001) SPECTROSCOPY WAVELENGTH INP(001)
	Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 43, 页码: 7603-7610 作者: Jin P; Ye XL; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：193/58 \| 提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY
	Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352 作者: 收藏 \| 浏览/下载：230/30 \| 提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry lateral overgrowth metalorganic chemical vapor deposition GaN CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION HIGH-QUALITY GAN BUFFER LAYER THREADING DISLOCATIONS TEMPERATURE EVOLUTION SURFACE MOVPE
	Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253 作者: Zhang SM 收藏 \| 浏览/下载：293/3 \| 提交时间：2010/08/12 in situ laser reflectometry lateral overgrowths surface morphology metalorganic chemical vapor deposition GaN CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION LIGHT-EMITTING-DIODES SAPPHIRE SUBSTRATE NUCLEATION LAYERS QUALITY TEMPERATURE
	Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots ELECTRONIC-STRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE INTERDIFFUSION TRANSITIONS SPECTRA
	Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy X-ray diffraction epitaxial lateral overgrowth metalorganic vapor phase epitaxy cubic gallium nitride CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION CUBIC GAN PHASE EPITAXY REDUCTION GROWTH
	Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：143/9 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots semiconducting III-V materials laser diodes WELL LASERS
	Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2010/11/15 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots semiconducting III-V materials laser diodes WELL LASERS

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