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半导体研究所 [33]
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期刊论文 [27]
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2008 [1]
2007 [2]
2006 [2]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [33]
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学科主题:半导体材料
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Theoretical investigations on the N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN heterostructures: Considering the existence of both two-dimensional hole and electron gases
期刊论文
journal of applied physics, 2016, 卷号: 120, 期号: 12, 页码: 124501
Junda Yan
;
Quan Wang
;
Xiaoliang Wang
;
Chun Feng
;
Hongling Xiao
;
Shiming Liu
;
Jiamin Gong
;
Fengqi Liu
;
Baiquan Li
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/10
Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701
作者:
Tan HR
;
Yin ZG
;
You JB
;
Zhang SG
;
Zhang XW
收藏
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浏览/下载:145/29
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提交时间:2010/05/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTROSCOPY
EPITAXY
GROWTH
FILM
SIO2
Effects of silicon incorporation on composition, structure and electric conductivity of cubic boron nitride thin films
期刊论文
diamond and related materials, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: 1371-1376
Ying J (Ying J.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Tan HR (Tan H. R.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/12/28
Cubic boron nitride
Doping
Ion beam assisted deposition
X-ray photoelectron spectroscopy
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
VAPOR-DEPOSITION
SI
NUCLEATION
GROWTH
Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang T
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浏览/下载:252/54
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提交时间:2010/03/08
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
InAs
GaAs
Laser diodes
Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者:
Ye XL
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/29
photoluminescence
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 800-803
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
deep defect
Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110
作者:
Han XX
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:710/6
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE CONDUCTION
THIN-FILMS
OHMIC CONTACTS
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Synthesis and optical properties of europium-doped ZnS: Long-lasting phosphorescence from aligned nanowires
期刊论文
advanced functional materials, 2005, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 1883-1890
Cheng BC
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:105/18
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提交时间:2010/03/17
ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES
Alloy compositional fluctuation in InAlGaN epitaxial films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 649-652
Li, DB
;
Dong, X
;
Huang, J
;
Liu, X
;
Xu, Z
;
Zhang, Z
;
Wang, Z
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/03/17
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
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