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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143 Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：196/52  |  提交时间：2010/04/28 BAND-GAP  TEMPERATURE-DEPENDENCE  ENERGY  SEMICONDUCTORS  SPECTRA  EPITAXY  GROWTH  LAYERS   Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 013106 Zhou, ZY; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/03/08 FINE-STRUCTURE  QUANTUM-WELLS  GAAS/ALAS SUPERLATTICES  SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  HOLE   Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26 Wang XL; Sun DZ; Kong MY; Hou X; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/17 quantum wells  GSMBE  InGaAs/InP  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  ROOM-TEMPERATURE  MULTILAYERS  DEFECTS  DISLOCATIONS  MODULATION  LASERS  SHIFT