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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：139/13  |  提交时间：2010/04/22 MOVPE  In-rich InGaN  Indium incorporation  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRITICAL THICKNESS  DROPLET FORMATION  PHASE-SEPARATION  TEMPERATURE  FILMS  HETEROSTRUCTURES  IMMISCIBILITY  INXGA1-XN   Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文 5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 063122 Zhao, C; Chen, YH; Xu, B; Tang, CG; Wang, ZG; Ding, F 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM DOTS  INAS   Evolution of InAs nanostructures grown by droplet epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 3, 页码: art.no.033112 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 QUANTUM DOTS