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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [2]
2008 [1]
2007 [1]
2003 [2]
2002 [1]
2000 [2]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:170/19
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提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model
期刊论文
solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Wang YS (Wang Y. S.)
;
Zhang H (Zhang H.)
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浏览/下载:190/22
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提交时间:2010/09/07
Thermophotovoltaic
Gallium antimonide
Absorption coefficient
A Planar InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiode with Cascade Edge Breakdown Suppression
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1686-1691
作者:
Wu Meng
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/23
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
Narrow-beam divergence 1.55μm laser diodes with integrated self-aligned spotsize conVerter
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 18-20
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers integrated with vertically tapered self-aligned waveguide
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 583-587
Qiu WB
;
Wang W
;
Dong J
;
Zhou F
;
Zhang JY
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
self-alignment
spotsize converter
tapered waveguide
selective area growth
distributed feeback lasers
1.5μm Self-Aligned Spotsize Converter Integrated DFB Fabricated by Selective Area Grown MOVPE
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 681-684
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
GaNAs
DC active N-2 plasma
molecular beam epitaxy
nitrogen content
Fourier transform infrared spectroscopy of intensity
BAND-GAP ENERGY
GAAS1-XNX
NITROGEN
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252
Lin YW
;
Pan Z
;
Li LH
;
Zhou ZQ
;
Wang H
;
Zhang W
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
GaNAs
DC active N-2 plasma
molecular beam epitaxy
nitrogen content
Fourier transform infrared spectroscopy of intensity
BAND-GAP ENERGY
GAAS1-XNX
NITROGEN
Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30
Lu LW
;
Zhang YH
;
Yang GW
;
Wang J
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs quantum wells
DLTS measurements
nonradiative centers
THICKNESS
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