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半导体研究所 [320]
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学科主题:半导体材料
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
季祥海
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浏览/下载:127/0
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体纳米线
异质结纳米线
自催化生长机制
金属有机化学气相沉积
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
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浏览/下载:497/0
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提交时间:2016/06/03
GaAs/Si
GaAs/Ge
两步法
四步法
量子点
激光器
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
周旭亮
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2014/05/28
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
毕业论文 基于光子晶体慢光效应的光放大和激光器件研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
齐爱谊
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2014/06/11
光子晶体
慢光效应
LiNbO3
感应耦合等离子体刻蚀
半导体光放大器
带边模
面发射激光器
First-principles study of structural, elastic and lattice dynamical properties of chalcopyrite BeSiV2 and MgSiV2 (V = P, As, Sb)
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 611, 页码: 210-218
Shi, LW
;
Hu, J
;
Qin, Y
;
Duan, YF
;
Wu, L
;
Yang, XQ
;
Tang, G
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/03/25
III-V 族半导体纳米结构的MOCVD 生长和光学性质研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李天锋
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/06/26
III-V 族(001)面生长半导体量子阱偏振相关光学性质的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
俞金玲
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/06/26
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
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