QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 986-989 Wang X; Wu AM; Chen J; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P 收藏  |  浏览/下载：212/52  |  提交时间：2010/03/09 line defects   Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文 11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002 Wang X; Chen M; Chen J; Wang X; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 SOI  nanostructure  microelectronic materials   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   THE DEPENDENCE OF THE INVERSION LAYER THICKNESS ON THE FILM THICKNESS IN THIN-FILM SOI STRUCTURES 期刊论文 chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 716-719 XIA YW; WANG SW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 MOSFETS  REDUCTION