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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of low-temperature Ge seed layer on growth of high-quality Ge epilayer on Si(100) by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 10, 页码: 2508-2513 Zhou ZW; Li C; Lai HK; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：55/12  |  提交时间：2010/03/08 characterization   Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE   CERIUM SILICIDE FORMATION IN THIN CE SI MULTILAYER FILMS 期刊论文 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 998-1001 HSU CC; HO J; QIAN JJ; WANG YT 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  SI(111)  LA   DIRECT ION-BEAM DEPOSITION OF CARBON-FILMS ON SILICON IN THE ION ENERGY-RANGE OF 15-500 EV 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 70, 期号: 10, 页码: 5623-5627 LAU WM; BELLO I; FENG X; HUANG LJ; QIN FG; YAO ZY; REN ZZ; LEE ST 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 DIAMOND-LIKE FILMS  IONIZED DEPOSITION  REACTIVE IONS  THIN-FILMS  GROWTH  SURFACES