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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501 作者:  Zhou GY;  Zhang HY;  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：68/4  |  提交时间：2011/07/05 INAS ISLANDS  MU-M  ESCAPE  GAAS  GAAS(100)  SUBSTRATE   Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH   Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 Er-doped silicon  photoluminescence  energy transfer  AL2O3 WAVE-GUIDES  ER  ELECTROLUMINESCENCE  EPITAXY  GAAS   Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 期刊论文 optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 255-258 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 Er-doped silicon  photoluminescence  energy transfer  AL2O3 WAVE-GUIDES  ER  ELECTROLUMINESCENCE  EPITAXY  GAAS   Photoluminescence and activation on SI-GaAs by Si+ implantation and following rapid thermal annealing 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1996, 卷号: 117, 期号: 0, 页码: 112-116 Li GH; Wang CH; Zhao J; Wang ZG; Wan SK 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 EFFICIENCY