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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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提交时间:2010/11/15
STRESS
GROWTH
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
hydrogen contaminant
GSMBE
Raman spectrum
GROWTH
STRESS
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