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科研机构
半导体研究所 [3]
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期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Microscopic study on the carrier distribution in optoelectronic device structures: Experiment and modeling
期刊论文
proceedings of spie- the international society for optical engineering, 2011, 卷号: 8308, 页码: 83081y
Huang, Wenchao
;
Xia, Hui
;
Wang, Shaowei
;
Deng, Honghai
;
Wei, Peng
;
Li, Lu
;
Liu, Fengqi
;
Li, Zhifeng
;
Li, Tianxin
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提交时间:2012/06/14
Capacitance
Carrier concentration
Characterization
Diffusion
Optoelectronic devices
Photodetectors
Scanning
Semiconductor device structures
Semiconductor devices
Semiconductor quantum wells
Thermionic emission
Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
收藏
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浏览/下载:62/0
  |  
提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
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