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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 growth interruption  in segregation  surface oxide  molecular beam epitaxy  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  LAYER  SHAPE  SIZE   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON