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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2013 [1]
2008 [1]
2007 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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High performance AlGaNGaN power switch with Si3N4 Insulation
期刊论文
the european physical journal applied physics, 2013, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 10101
Lin, Defeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Kang, He
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Hong
;
Deng, Qingwen
;
Bi, Yang
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/03/18
Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms
期刊论文
journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/03/08
Bulge test
fracture
pooled Weibull analysis
silicon nitride (Si3N4)
silicon oxide (SiO2)
Study on mechanical properties of GaN epitaxy films grown on sapphire by MOCVD
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Liu Z (Liu Zhe)
;
Duan RF (Duan Ruifei)
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
MOCVD生长GaN力学性能研究
期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
作者:
段瑞飞
;
魏同波
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浏览/下载:130/4
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提交时间:2010/11/23
二元高-k材料研究进展及制备
期刊论文
功能材料, 2002, 卷号: 33, 期号: 5, 页码: 462-464
作者:
杨少延
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提交时间:2010/11/23
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