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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improved electroluminescence from n-ZnO/AlN/p-GaN heterojunction light-emitting diodes 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 20, 页码: art. no. 201102 You JB (You J. B.); Zhang XW (Zhang X. W.); Zhang SG (Zhang S. G.); Wang JX (Wang J. X.); Yin ZG (Yin Z. G.); Tan HR (Tan H. R.); Zhang WJ (Zhang W. J.); Chu PK (Chu P. K.); Cui B (Cui B.); Wowchak AM (Wowchak A. M.); Dabiran AM (Dabiran A. M.); Chow PP (Chow P. P.) 收藏  |  浏览/下载：225/45  |  提交时间：2010/06/18 ZNO  DEPOSITION   Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083701 作者:  Tan HR;  Yin ZG;  You JB;  Zhang SG;  Zhang XW 收藏  |  浏览/下载：145/29  |  提交时间：2010/05/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  SPECTROSCOPY  EPITAXY  GROWTH  FILM  SIO2   Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   Photovoltaic and electroluminescence characters in hybrid ZnO and conjugated polymer bulk heterojunction devices 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 1350-1353 Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Xu Y (Xu Ying); Chen YH (Chen Yong-Hai); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/03/29 SOLAR-CELLS   Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes 期刊论文 journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278 Sun, GS; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2010/03/17 4H-SiC   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE