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科研机构
半导体研究所 [8]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Microscopic study on the carrier distribution in optoelectronic device structures: Experiment and modeling
期刊论文
proceedings of spie- the international society for optical engineering, 2011, 卷号: 8308, 页码: 83081y
Huang, Wenchao
;
Xia, Hui
;
Wang, Shaowei
;
Deng, Honghai
;
Wei, Peng
;
Li, Lu
;
Liu, Fengqi
;
Li, Zhifeng
;
Li, Tianxin
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/06/14
Capacitance
Carrier concentration
Characterization
Diffusion
Optoelectronic devices
Photodetectors
Scanning
Semiconductor device structures
Semiconductor devices
Semiconductor quantum wells
Thermionic emission
Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002
Wang Y (Wang Y.)
;
Chen NF (Chen N. F.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Huang TM (Huang T. M.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
;
Bai YM (Bai Y. M.)
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浏览/下载:171/19
  |  
提交时间:2010/09/20
OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION
DISPERSION-RELATIONS
CARRIER MOBILITIES
PHASE EPITAXY
DOPED GAAS
DEVICES
GASB
INP
ALXGA1-XAS
INGAASSB
Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia CH
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浏览/下载:255/27
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提交时间:2010/03/08
Growth behavior
SrTiO3
MOCVD
ZnO
An Electroabsorption Modulator Monolithically Integrated with a Semiconductor Optical Amplifier and a Dual-Waveguide Spot-Size Converter
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1504-1508
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Study of GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layers by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 99-104
Lu LW
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Leung BH
;
Surya C
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:100/14
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提交时间:2010/08/12
characterization
molecular beam epitaxy
semiconducting materials
STRAIN
Experimental study on tunable external cavity photodetectors
会议论文
international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Ren XM
;
Liu K
;
Huang YQ
;
Liu LY
;
Li JX
;
Guo W
;
Liao QW
;
Ma XY
;
Kang XJ
;
Campbell JC
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/15
external cavity photodetector
tunable photodetector
optoelectronic device
WAVELENGTH
Experimental study on tunable external cavity photodetectors
期刊论文
optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 243-246
Ren XM
;
Liu K
;
Huang YQ
;
Liu LY
;
Li JX
;
Guo W
;
Liao QW
;
Ma XY
;
Kang XJ
;
Campbell JC
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/08/12
external cavity photodetector
tunable photodetector
optoelectronic device
WAVELENGTH
InAs quantum dots in InAlAs matrix on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 187, 期号: 3-4, 页码: 564-568
作者:
Xu B
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InAs/InAlAs/InP
molecular beam epitaxy
ISLANDS
SELF-ORGANIZATION
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