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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2003 [1]
2000 [3]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
Raman scattering and infrared absorption of silicon nanocrystals in silicon oxide matrix
会议论文
4th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, may 08-11, 2000
Ma ZX
;
Liao XB
;
Zheng WM
;
Yu J
;
Chu JH
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2010/10/29
nanocrystalline silicon
Raman scattering
infrared absorption
phonon confinement
MICROCRYSTALLINE SILICON
POLYCRYSTALLINE SILICON
FILMS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
Sputtering of ZnO buffer layer on Si for GaN blue light emitting materials
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2000, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 55-59
He HB
;
Fan ZX
;
Yao ZY
;
Tang ZS
收藏
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
light emitting material
ZnO
magnetron sputtering
structure
X-ray rocking curve
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