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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2010 [2]
2007 [1]
2005 [1]
2004 [2]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Large area flexible polymer solar cells with high efficiency enabled by imprinted Ag grid and modified buffer layer
期刊论文
Acta Materialia, 2017, 卷号: 130, 页码: 208-214
作者:
Shudi Lu
;
Jie Lin
;
Kong Liu
;
Shizhong Yue
;
Kuankuan Ren
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/06/15
Influence of interface modification on the performance of polymer/Bi2S3 nanorods bulk heterojunction solar cells
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 257, 期号: 2, 页码: 423-428
Wang ZJ (Wang Zhijie)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zeng XB (Zeng Xiangbo)
;
Liu JP (Liu Junpeng)
;
Tan FR (Tan Furui)
;
Jin L (Jin Lan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:199/30
  |  
提交时间:2010/10/11
Bulk heterojunction solar cells
Surface modification
Nanorods
Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: art. no. 295401
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:336/26
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提交时间:2010/08/17
CARRIER RELAXATION
STATES
SUPERLATTICES
CONFINEMENT
LASER
Band gap narrowing in heavily B doped Si1-xGex strained layers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 6654-6659
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
SiGe layer
Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots
期刊论文
vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
nanostructure
Monolithic Integration of Electro-Absorption Modulators and DFB Lasers by Modified Double Stack Active Layer Approach
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 481-485
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
Growth of nano-structures on composition-modulated InAlAs surfaces
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2004, 卷号: 16, 期号: 43, 页码: 7603-7610
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:193/58
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
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浏览/下载:155/29
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提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 816-819
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
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