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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269 作者:  Yang H;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：182/43  |  提交时间：2010/03/08 Cathodoluminescence  MOCVD  AlGaN   QE and Suns-V-oc study on the epitaxial CSiTF solar cells 期刊论文 science in china series e-engineering & materials science, 2005, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 41-52 Bin A; Shen H; Ban Q; Liang ZC; Chen RL; Shi ZR; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/17 SSP ribbon   Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 Wu, JJ; Li, DB; Lu, Y; Han, XX; Li, JM; Wei, HY; Kang, TT; Wang, XH; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/03/17 cracks   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   A study of the interface of CeO2/Si heterostructure grown by ion beam deposition 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 397-401 Wu ZL; Huang DD; Yang XZ 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY PHOTOELECTRON  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SPECTROSCOPY  SURFACES  SI(111)  OXIDES  LAYERS  SI